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[VASP] 关于替换掺杂位置问题

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请教一下各位大侠:对于V2O5 1X2X1超晶胞,V 只有一种占位,如果要取代一个V原子,是随便替换一个V位置呢,还是所有的V位置  都要替换,计算替换能  最后根据能量最低来确定?谢谢!!!

V2O5.JPG (52.92 KB, 下载次数 Times of downloads: 29)

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发表于 Post on 2017-6-15 15:30:04 | 只看该作者 Only view this author
如果所有V原子环境相同,随便换一个都行,没必要都试,周期性展开都一样。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2017-6-15 20:19:41 | 只看该作者 Only view this author
hakuna 发表于 2017-6-15 15:30
如果所有V原子环境相同,随便换一个都行,没必要都试,周期性展开都一样。

谢谢 您的回复,如果 是 要替换两个V原子,第一个可以随便选取,那么第二个位置应该得考虑 所有的可能位置了吧?谢谢!

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卡开发发 + 1 掺第二个仍有某些位置等价

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发表于 Post on 2017-6-15 20:41:14 | 只看该作者 Only view this author
你要研究的是什么问题呢?如果是分子在表面的吸附或者反应,是不是就应该替换表面的V原子
In defeat, malice. In victory, revenge.

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发表于 Post on 2017-6-15 20:49:28 | 只看该作者 Only view this author
lisu555 发表于 2017-6-15 20:19
谢谢 您的回复,如果 是 要替换两个V原子,第一个可以随便选取,那么第二个位置应该得考虑 所有的可能位 ...

没错

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