能带和态密度计算时是否需要保持优化时的vdW参数

monomon · 发表于 Post on 2021-1-22 14:57:08

结构优化和静态自洽时用到了SCAN+rVV10的vdW参数，在后续电子性质计算时加上和不加vdW参数都算了一下，发现带隙结果相差0.2～0.3eV。请问电子性质计算时是否需要加上vdW的参数？
另外，自洽输出的用于电子性质计算WAVECAR和CHGCAR是否已经包含了vdW计算的结果？

卡开发发 · 发表于 Post on 2021-1-22 22:17:13

需要。rVV10和DFT-D不同，DFT-D只是力场级别的修正，算单点能的时候对电子结构没有影响，只是会影响到结构反过来影响电子结构；而rVV10是直接在交换-关联势上的处理，会直接影响到电子结构。

monomon · 发表于 Post on 2021-1-25 13:03:40

卡开发发发表于 2021-1-22 22:17
需要。rVV10和DFT-D不同，DFT-D只是力场级别的修正，算单点能的时候对电子结构没有影响，只是会影响到结构 ...

好的，感谢老师回复！

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