求助解决为什么计算的吸附能值明显偏大

yyt110

由于本人刚刚接触vasp，有很多地方都不理解，所以遇到的问题，自己一直想不通，希望能得到大神的帮助。我计算Co（001）面上的hcp位点上吸附一个CO分子，想要计算吸附能，但是计算得到的值达到了7ev左右，正常应该在1.7ev左右，不知道是哪里出错了，请大家帮忙看一下。使用的是PAW_PBE赝势，以下是INCAR文件。提前谢谢大家了。
INCAR:
SYSTEM = system
#Startparameter for this run:
PREC   = Accurate
ISPIN  = 2
ISTART = 0
ICHARG = 2
#Electronic Relaxation
ENCUT  =  400
NELM   =  60;   NELMIN=  6; NELMDL= -5
EDIFF  = 1E-5
LREAL  = Auto
ALGO  =  Fast
GGA   =  PE
#Ionic relaxation
EDIFFG = -0.02
NSW    =  200
IBRION =  2
ISIF   =  2
ISYM   =  2            # 0-nonsym 1-usesym 2-fastsym
POTIM  =  0.5          # time-step for ionic-motion
#DOS related values
ISMEAR = 1
SIGMA  = 0.2
#Write flags
LWAVE  =  F
LCHARG =  F
NWRITE = 1
LVDW = T

yyt110

非常感谢您的指导，那我先尝试改正计算一下

卡开发发

可能导致的因素比较多，可以做以下尝试：
1、LVDW=F;GGA=RP。GGA=PE可能会高估这样体系的相互作用，若再考虑D2的话相互作用进一步高估。
2、分子尽量用ISMEAR=0;SIGMA再小点。ISMEAR=1可能会导致非金属系统负占据，能量不一定对。
3、优化构型后能量尽可能通过再做自洽计算得到。