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[综合讨论] 用vasp优化晶胞的几点疑问

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在说我的问题前,我先讲讲我是怎么优化晶胞的:首先我的incar和kpoints中参数设置是来自于文献的,所以我从一开始就设置了文献给出的k点,而没有一步步提高k点。而ENCUT的值同一个体系,有的作者用的是600eV,有的用的是800eV,不知道用哪个好?我的优化步骤是按源资培训里面介绍的来做的,i:优化晶胞参数  ISIF=3,固定原子位置(即在POSCAR文件中原子坐标后加F)
ii:原子弛豫  ISIF=2 ,不固定原子位置(默认是不加F的,即T)
iii:用vasp算一般结构都是对称性降为P1,最后算完将CONTCAR用ms打开,通过find sysmery--impose sysmetry恢复对称性
以下是我的问题:
①我的这个优化过程可行吗
②第一步的时候我不确定到什么时候停止,就把contcar变为poscar重复第一步的计算,最近有一个我重复了20次,最后晶胞参数和总能量都不再变化了,然后我就进行原子弛豫,发现晶胞参数和总能量还是不变,我就不知道我这样做对不对,感觉重复太多次了。应该有一个什么标准来停止晶胞参数的优化这一步呢?我知道的就是看最护两步的总能量和晶胞参数基本一样,但有没有一个什么标准呢?跟incar中设置的EDIFF和EDIFFG有关吗?

③以上我会列入external pressure是看到文献的一句话 ,不知是不是指的是最后优化总压力小于+-0.5KB,这个需不需要考虑到优化是否收敛中来?
④关于poscar也就是建模的问题,文献中有两种数据,一种是实验测得的晶胞参数和原子坐标,一种是别人理论计算优化好的晶胞参数和原子坐标,使用哪种数据建模更合适呢?

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发表于 Post on 2015-8-24 17:36:26 | 只看该作者 Only view this author
而ENCUT的值同一个体系,有的作者用的是600eV,有的用的是800eV,不知道用哪个好?
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当然是越高越好。其实600和800都是相当高的设定了,400就足够发一区期刊了。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2015-8-24 17:39:11 | 只看该作者 Only view this author
万里云 发表于 2015-8-24 17:36
而ENCUT的值同一个体系,有的作者用的是600eV,有的用的是800eV,不知道用哪个好?
===================== ...

不过800比600会算得慢,所以我在考虑用600

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2015-8-24 17:40:21 | 只看该作者 Only view this author
这个是不是对应的

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2015-8-24 21:13:12 | 只看该作者 Only view this author
万里云 发表于 2015-8-24 17:36
而ENCUT的值同一个体系,有的作者用的是600eV,有的用的是800eV,不知道用哪个好?
===================== ...

请问怎么看有没有优化好呢

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发表于 Post on 2015-8-26 16:53:47 | 只看该作者 Only view this author
wernea 发表于 2015-8-24 17:39
不过800比600会算得慢,所以我在考虑用600

600也很高了,算得很慢的。

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发表于 Post on 2015-8-26 16:54:43 | 只看该作者 Only view this author
wernea 发表于 2015-8-24 21:13
请问怎么看有没有优化好呢

我不用VASP,不知道OUTCAR里看哪一项。

一般来说,只要最后开始输出计算耗时了,一般就是正常结束了。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2015-8-26 21:14:34 | 只看该作者 Only view this author
万里云 发表于 2015-8-26 16:54
我不用VASP,不知道OUTCAR里看哪一项。

一般来说,只要最后开始输出计算耗时了,一般就是正常结束了。

嗯嗯,好的

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