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[VASP] 范德瓦尔斯修正怎么使用呢?

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    小弟,在用GGA-PBE算晶胞参数,表面,吸附问题的时候。发现不加范德瓦尔斯修正的时候,晶胞参数变化比较大。想请问一下,算表面,吸附问题的时候是不是也需要使用范德瓦尔斯修正呢。因为算晶胞参数的时候使用了。范德瓦尔斯修正分为T-S和DFT-D2,应该如何选择呢。

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发表于 Post on 2015-11-24 10:04:46 | 只看该作者 Only view this author
http://bbs.keinsci.com/forum.php ... hlight=%C9%AB%C9%A2这篇帖子jiewei兄在1#、3#、12#收集了一些数据,大体上看下来DFT-D2结果好点。

TS其实分为TS和TS-SCS,SCS需要额外对屏蔽极化率进行自洽(原文还没来得及研究),有可能会费时,但TS-SCS具体的性能我没测试过。

原理上还是vdW-DF和M06L靠得住一些,尤其是后者综合性能让人比较放心。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2015-11-24 14:59:41 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2015-11-24 10:04
http://bbs.keinsci.com/forum.php?mod=viewthread&tid=387&highlight=%C9%AB%C9%A2这篇帖子jiewei兄在1#、 ...

   我考虑了T-S和DFT-D2修正,计算了晶胞参数,发现变化都比较小,和文献符合也比较好。我在算表面和吸附的时候,是不是也得使用T-S或者DFT-D2修正呢。

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发表于 Post on 2015-11-24 16:12:17 | 只看该作者 Only view this author
lc00 发表于 2015-11-24 14:59
我考虑了T-S和DFT-D2修正,计算了晶胞参数,发现变化都比较小,和文献符合也比较好。我在算表面和吸附 ...

晶胞参数倒是和vdW修正关系不太大,表面吸附必须要考虑。

纯GGA的结果还不如简单的LDA可靠。

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发表于 Post on 2015-11-24 19:20:38 | 只看该作者 Only view this author
lc00 发表于 2015-11-24 14:59
我考虑了T-S和DFT-D2修正,计算了晶胞参数,发现变化都比较小,和文献符合也比较好。我在算表面和吸附 ...

那当然都考虑,使用一种即可。
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发表于 Post on 2015-11-24 19:31:46 | 只看该作者 Only view this author
万里云 发表于 2015-11-24 16:12
晶胞参数倒是和vdW修正关系不太大,表面吸附必须要考虑。

纯GGA的结果还不如简单的LDA可靠。

有些关系,DFT-D对于晶格还是有修正的,以前fitting EOS还是发现结果很不同的。撇开后期计算表面,对于近均匀系统如金属等,LDA结果确实很好。但是对于离子性比较强的体系,GGA当中有PBEsol、Wu-Cohen、SOGGA结果会比较好,但这些方法计算均匀体系可能也不如LDA。但后期因为要处理吸附,LDA键能和反应势垒都没法看。还有,DFT+U比不考虑+U晶格稍大。

如果后期要正确进行电子结构方面的分析,弱作用的校正就得在泛函层面上修正。

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发表于 Post on 2015-11-24 19:37:46 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2015-11-24 19:31
有些关系,DFT-D对于晶格还是有修正的,以前fitting EOS还是发现结果很不同的。撇开后期计算表面,对于近 ...

嗯。这个确实。

“纯GGA的结果还不如简单的LDA可靠。”这个主要是针对吸附和层状材料讲的。

这是最近看到的层状黑磷的例子。GGA/metaGGA/Hybrid糟得一塌糊涂。



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发表于 Post on 2015-11-24 19:55:02 | 只看该作者 Only view this author
万里云 发表于 2015-11-24 19:37
嗯。这个确实。

“纯GGA的结果还不如简单的LDA可靠。”这个主要是针对吸附和层状材料讲的。

两个例子来看反而PBE-D2比较好,对于bulk就类似均匀体系,LDA确实显示了不错的性能。

杂化泛函HF项的比例也是个问题,不过尚不确定屏蔽杂化泛函如何。倒是比较好奇文中DMC怎么做结构优化的
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 楼主 Author| 发表于 Post on 2015-12-21 21:54:40 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2015-11-24 19:55
两个例子来看反而PBE-D2比较好,对于bulk就类似均匀体系,LDA确实显示了不错的性能。

杂化泛函HF项的 ...

        吸附的分子,是不是也得使用和优化表面一样的vdW修正呢?

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发表于 Post on 2015-12-22 01:59:56 | 只看该作者 Only view this author
lc00 发表于 2015-12-21 21:54
吸附的分子,是不是也得使用和优化表面一样的vdW修正呢?

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2015-12-22 09:38:07 | 只看该作者 Only view this author

      优化吸附分子和优化表面的一些参数不一样怎么办呢,encut和k点不一样。smearing方法,分子采用Gaussian,0.2;表面采用M-P,0.1。吸附计算和优化表面的参数设置是一样的。

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发表于 Post on 2015-12-22 10:03:25 | 只看该作者 Only view this author
lc00 发表于 2015-12-22 09:38
优化吸附分子和优化表面的一些参数不一样怎么办呢,encut和k点不一样。smearing方法,分子采用Gaus ...

不打紧啊,只要泛函一样就行,KPOINTS必然不会一样,一般分子取Gamma(实际上格子够大的话去多少都无所谓),截断能一般也是各自测试结果收敛即可,实际上参数选取只要保证测试收敛就行(而不是相同)。展宽的问题可以看看ENTRO多大,如果比较大的话建议对结构额外使用小的展宽分别自洽再取其能量,避免引入展宽导致能量计算不准确。

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发表于 Post on 2016-5-3 09:52:50 | 只看该作者 Only view this author
本帖最后由 liu_tiao 于 2016-5-3 09:53 编辑
卡开发发 发表于 2015-12-22 10:03
不打紧啊,只要泛函一样就行,KPOINTS必然不会一样,一般分子取Gamma(实际上格子够大的话去多少都无所谓 ...

       使用泛函GGA-PBE加上T-S或者DFT-D2修正,和单独使用范德华密度泛函vdW-DF,vdW-DF2,的效果会不会差不多呢?

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发表于 Post on 2016-5-3 10:28:07 | 只看该作者 Only view this author
liu_tiao 发表于 2016-5-3 09:52
使用泛函GGA-PBE加上T-S或者DFT-D2修正,和单独使用范德华密度泛函vdW-DF,vdW-DF2,的效果会不会 ...

定性上效果肯定是差不多的。TS很多时候高估,但是对极性强的体系反而低估(即便TS-SCS也是如此);DFT-D2大部分情况能给出不错的结果,但严格来说C6原理上毕竟不是个常数;vdW-DF一类(包括VV)其实也很依赖参数的选取,固体体系有人做过测试,其中vdW-optB88和vdW-optB86b还可以。

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发表于 Post on 2016-5-13 17:10:18 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2016-5-3 10:28
定性上效果肯定是差不多的。TS很多时候高估,但是对极性强的体系反而低估(即便TS-SCS也是如此);DFT-D2 ...

      在进行吸附计算的时候,使用GGA-PBE+DFT-D2修正,为什么计算出来的吸附能都比文献偏大(大概多了0.2,0.3ev左右的大小,有些甚至达到了0.5ev)。所参考的文献都没有提到van der Waals修正问题。

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