vasp计算高熵结构带隙算出负值

sunnysnowy

我想要计算LLZO和石榴石高熵结构的带隙
计算方法：（1）结构优化 （2）计算单点能，得到CHGCAR  (3)VASPKIT-303得到KIPOTS, 计算带隙
第三步INCAR
# Basic param
PREC = Normal
ISPIN = 1
VOSKOWN = 0
ISTART=1
ICHARG=11


# Electronic relaxation
SIGMA = 0.2
NELM = 100
NELMIN = 5
EDIFF = 1E-5
ALGO = VeryFast
LORBIT=11
NEDOS=1000

# Ionic relaxation
ISIF = 3
IBRION = 2
NSW = 0
EDIFFG = -0.05



# Dipole corrections
LREAL=AUTO

# Output
LWAVE = .F.
LCHARG = .F.

# Parallelisation
LPLANE = .T.  

# Exchange-correlation
GGA = PE

LLZP POSCAR

计算带隙


高熵结构POSCAR


计算带隙


请大佬看看这是什么问题导致的

yxdd98

提示了带隙特征为半金属，即有某自旋带隙为零，因此这里很小的负值应该是数值误差，取为零就行