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[VASP] 求助吸附能计算-sigma参数问题

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VASP初学者,最近在进行吸附能的计算时,对于sigma参数产生了一些疑问,想请教一下大家。

对于吸附分子及材料,我都采用了ISMEAR=0即高斯展宽。对于材料体系,我的sigma取值为0.05,测试后发现是合理的值。但计算气体分子时,由于教程中明确说明必须采用很小的值,因此采用了0.01.我的问题是,计算吸附能时是用吸附体系的能量与单独分子及材料体系的能量直接做差,而分子计算采用了不同的sigma值,这样做出的结果是否合理?另外,分子计算只用了1个K点,这个与材料体系也不同,会造成影响吗?

问题非常基础,希望大家能不吝赐教,先行谢过了。
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发表于 Post on 2019-5-9 10:05:26 | 只看该作者 Only view this author
我也是初学者,,我感觉不会,,因为有些例子的计算中就存在你说的这些不同。

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发表于 Post on 2019-5-9 11:25:02 | 只看该作者 Only view this author
1、所以显得收敛性测试尤为重要,收敛性测试的误差可以保证即便是采用不同的参数误差也在可控的范围内,这样的情况通常由于误差抵消,实际的误差可能更小。

2、对于气体分子,应当采用大格子来降低周期性边界的影响,格子足够大的时候k点能够很快收敛,因此Gamma点是足够的。

3、分子的gap比较大,即便采用稍大的展宽也较难让两个展宽后的能级发生交叠而引起电子熵和力迅速变化,所以我认为对于分子体系构型优化而言sigma只要在合适范围内并不会有严重的影响。但要注意的是,绝缘系统慎重使用MP展宽,否则可能会引起负占据数。

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shinkon + 3 好物!
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 楼主 Author| 发表于 Post on 2019-5-9 12:50:03 | 只看该作者 Only view this author
卡开发发 发表于 2019-5-9 11:25
1、所以显得收敛性测试尤为重要,收敛性测试的误差可以保证即便是采用不同的参数误差也在可控的范围内,这 ...

谢谢您的解答。
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