vasp优化二维晶胞参数必须修改constr_cell_relax.F重新编译吗

dingniu2

如题，vasp优化二维材料晶胞参数时，对于是否要修改constr_cell_relax.F重新编译，有以下几种观点：
1. 不需要修改constr_cell_relax.F重新编译，c调到15或20埃，之后直接保持体积不变，即用ISIF=4优化，再改c为整数；
2. 不需要修改constr_cell_relax.F重新编译，直接用ISIF=3优化，之后保持a、b不变，增加c到15或20埃；
3. 不需要修改constr_cell_relax.F重新编译，固定c，改变a和b的值，对每组a和b用ISIF=2计算，得到一系列能量对a和b拟合最小值；
4. 必须修改constr_cell_relax.F重新编译，c调到15或20埃，固定c不变，用ISIF=3优化。
请问各位3个问题，以上几种方法哪些是对的，哪些是错的，哪个是最好的？

卡开发发

1、2两种情况对二维结构，要么真空层塌了，要么就是stress或force很难收敛。
3对a=b和夹角能确定的情况可以用，比如二维的六方或四方格子。直接拟合不算太好的方法，可以考虑不断三点插值抛物线找极小或二分法，也可以是两者相结合的Brent算法，这就是一维做无导数的优化方法。
4可能比较合理，但有没有c对其他两个轴向正交的要求我不好说。

dingniu2

卡开发发 发表于 2020-2-26 13:02
1、2两种情况对二维结构，要么真空层塌了，要么就是stress或force很难收敛。
3对a=b和夹角能确定的情况可 ...

非常感谢回复，请问除了以上方法，对二维材料晶胞参数优化，您有没有更好的方法？

卡开发发

dingniu2 发表于 2020-2-26 13:12
非常感谢回复，请问除了以上方法，对二维材料晶胞参数优化，您有没有更好的方法？

没有，一般4是比较好的方案。

dingniu2

卡开发发 发表于 2020-2-26 13:14
没有，一般4是比较好的方案。

谢谢！但是方法4只适用于c与ab都垂直的情况，对于不垂直时就只能用方法3了，对吗？

卡开发发

dingniu2 发表于 2020-2-26 13:30
谢谢！但是方法4只适用于c与ab都垂直的情况，对于不垂直时就只能用方法3了，对吗？

我不太能确定这点，你可以找点资料研究一下。

dingniu2

卡开发发 发表于 2020-2-26 13:46
我不太能确定这点，你可以找点资料研究一下。

非常感谢！

xp47

可以控制不垂直时候的C方向，不过不是修改这个文件，需要修改结构优化过程力的计算部分（在最后的部分调成0）但是这样做很危险

get-it

还有就是用ase调用vasp进行优化