hakuna 发表于 2017-5-10 21:43 恩,计算发现hollow site 的可能性更大,我的NH3放在了这个位置。谢谢提醒。 |
一心搞科研 发表于 2017-5-9 22:37 我指的是NH3相对于表面的方式 |
nh3.jpg (28.25 KB, 下载次数 Times of downloads: 60)
参与人数Participants 1 | eV +2 | 收起 理由Reason |
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| + 2 | LZ力场估计的结果显然不可靠 |
hakuna 发表于 2017-5-9 17:48 我不是随便放的,我是先建好NH3分子模型,然后用吸附工具计算,这个是计算结果Ag(111) Adsorption Anneal中的文件,请问这样可以吗? |
ggdh 发表于 2017-5-9 14:05 是啊,我是那样就直接放进去算了,结果算了半天了还没结束。 |
一心搞科研 发表于 2017-5-9 13:51 NH3不要随意放里面,金属表面上,NH3的吸附是通过N上孤对实现的 |
参与人数Participants 1 | eV +1 | 收起 理由Reason |
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| + 1 |
zyj19831206 发表于 2017-5-9 12:18 好的,谢谢,我用了吸附工具把NH3导进去了。高斯算的是慢,都十几个小时了还没动静。 |
灰白白白白 发表于 2017-5-9 10:47 谢谢,很受启发。 |
raitoliu 发表于 2017-5-9 10:10 好的,谢谢你。 |
切出一个表面团簇模型用于研究吸附,在高斯里计算是完全可以的,很常见,比如DFT-D3的原文里就有相应模型。但是如果你想当成二维周期性体系在高斯里做PBC计算,原子数稍微一多就会很吃力,而且功能限制很大,还不如用团簇模型研究。 |
1.其实你重新打开一个新文件,画出NH3分子,复制粘贴进Ag111表面也是可以的,距离控制可以通过MS上面的距离按钮。 2.这种有晶面的计算最好还是用CASTEP和VASP这种第一性原理的软件,gv跑这种晶体类的结构速度非常慢。 |
参与人数Participants 1 | eV +1 | 收起 理由Reason |
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我是这样做的,直接画一个NH3分子,然后Build Crystal-Rebuild Crystal。 吸附的话,选金属文件,点吸附工具就好了。 |
1. 先从自己预先构想的吸附点拉出一个Ag-N键。 这个是MS的软件操作上的问题。然后再把3个H画出来,这个距离没有确定的。Ag-N可以参考文献。取个接近值再去优化。用直接输坐标的话感觉很困难。坐标输入还是在特殊情况下用。 2. 没用过高斯算过。sob在基础量化培训班的周期性计算也只是提了一下,主流的还是用VASP CASTEP算。 ps:用VASP的话记得用个编译器把坐标顺序和贗势对齐。 |
参与人数Participants 1 | eV +1 | 收起 理由Reason |
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