方方方 发表于 2025-8-19 11:37 嗯嗯 谢谢 |
yutongli2002 发表于 2025-8-19 11:26 那没什么问题,我以为你是做的电解液体系 |
方方方 发表于 2025-8-19 11:16 您好,我其实是想通过AIMD计算来获得氧化铝晶面和KCL水溶液接触下,表面羟基的接枝过程,所以并没有在模型中自行添加羟基(自行添加,存在数量以及角度问题?) 您认为是否合理呢 或者您有更好的建议吗(我看到文献中也有fully hydroxylated等结构,不过我想观测的就是到底表面羟基的形态和数目到底是如何) |
同时为什么溶液体系,氧化铝表面没有羟基化处理呢? |
感谢站长大大![]() 1、我也发现了您说的初始结构问题,正在修改并重新计算; 2、按您建议我去学习VMD; 3、步长的话,我会涉及到观察水在氧化铝表面的解离等现象,所以步长设置的0.5fs,您认为是否有必要设定的更低一些呢; 4、最后还是想请教您对这种体系的计算时间是否有个大概的估量,我昨天每一步SCF大概3s,每一个step大约要花费100s(30多轮SCF),(暂时用的是64核心),不知道您认为这个计算时间是否还在合理范围内。 再次感谢您的指点,期待您回复 ![]() |
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