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[VASP] 离子表面吸附,电场参数的的设置该注意哪些细节呢?

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本帖最后由 无畏 于 2018-4-18 15:13 编辑

关于离子在表面的吸附,我有如下问题:
     1.无电场下,带有+1电荷的阳离子的设置,我是这样设的,NEGLECT = (价电子数 — 1), 请问在后续的slab吸附计算,还有孤立离子计算,这种带电体系是否要考虑偶极校正对能量的修饰,不做校正,如      果模型在等胞大小情况下,也不可以比较相对能量吗?
     这个问题的提出是因为我参看manual,有如下表述(It is important to emphasize that the total energy can not be corrected for charged slabs, since a charged slab results in an electrostatic potential that          grows linearly with the distance from the slab,...Presently, no simple a posteriori correction scheme is known or implemented in VASP. Total energies from charged slab calculations are hence useless, and can
     not be used to determine relative energies. )
      2.有电场下,同样离子吸附体系,涉及到如下参数(manual 6.64)
     NELECT = (价电子数 — 1)
     EPSILON = ???          (孤立原子,分子自动为1,slab模型下,是否应该参照手册,将离子对介电常数的影响也归入)
     DIPOL = ???               (是选择默认,还是 center of mass)
     IDIPOL = 3 (z方向)
     LDIPOL = .TRUE.
     EFIELD = ???               (这个比如我想设置板间0.1V , 那么就用0.1除以真空层高度吗,还有双电层的紧密层与外面扩散层的电压不是连续线性变化的,那么 在设置该参数时,是不考虑这个因素吗?)



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