[综合讨论] 异质外延不同晶面的形成难易程度如何评估并计算？

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发表于 Post on 2025-5-11 23:23:39 | 只看该作者 Only view this author 回帖奖励

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半导体异质外延时候，由于晶格失配等原因，不同晶面形成难易程度不同，来评估时候，如何评估？比如Si（100）上不同的GaN晶面（0001）（1010）形成难易程度，。实际上异质外延很容易形成多晶来缓解应力，如何来以XRD衍射出来的多晶晶面为依据　建立多晶在衬底上的模型验证多晶形成已经降使得体系总体能量降低了呢？或者来验证出该多晶更容易形成呢？

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