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[VASP] 求助截断能对结构优化的影响,如何选择合适的截断能

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楼主
二维氮化碳材料,孔内掺杂铂簇,用400ev截断能优化完氮化碳平面变得褶皱,480ev截断能优化后氮化碳依然是平面,这两个截断能优化出的结构哪个是合理的?感谢!

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发表于 Post on 2020-10-15 18:32:19 | 只看该作者 Only view this author
优化前要先做截断能和k点的收敛性测试,确认合适的截断能和k点数量后再开始优化。

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2020-10-16 15:22:25 | 只看该作者 Only view this author
是的呢,之前没有考虑这个,现在又做了截断能测试,看能量差别很小,没有看结构,现在发现对结构也有影响,晶胞z方向一直固定,用400ev优化后晶胞xy方向会比POSCAR小0.3左右,增大截断能发现晶胞参数与POSCAR差距越小,480ev优化的结构没有褶皱可能就是因为晶胞稍微大一些的原因吧

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