求助：VASP计算直线型分子N2O，有虚频怎么消除

下午茶 · 发表于 Post on 2019-6-3 21:55:32

本帖最后由下午茶于 2019-6-4 11:52 编辑

我用vasp算吸附能，X是N2O，我是直接把N2O分子放在盒子里进行优化的，但老是出现虚频，文中说的EX是N2O在气相中的总能量，请问我这样算是对的吗？如果对，虚频怎么消去？

这N2O的结构，

这是优化结构的INCAR，

这是计算频率的INCAR，

出现了三个虚频，对于这种直线型的分子是不是怎么优化都有虚频，必须得添加虚拟原子呀？

Flower · 发表于 Post on 2019-6-4 15:17:33

你可以看一下你们方向相关的文献上面气体分子的频率是不是从热力学数据库中取的。

hakuna · 发表于 Post on 2019-6-4 16:08:47

首先，如果计算的是气相中的分子，你的slab需要改一下，a, b方向有点短，增加对应slab边长；
其次，最好把分子键轴沿着某一方向放置，固定其中的某一个原子；
最后，优化时力的收敛精度不够，POTIM取小点。
无关参数都去掉

下午茶 · 发表于 Post on 2019-6-5 08:45:25

本帖最后由下午茶于 2019-6-5 12:45 编辑

hakuna 发表于 2019-6-4 16:08
首先，如果计算的是气相中的分子，你的slab需要改一下，a, b方向有点短，增加对应slab边长；
其次，最好把 ...

我是算N2O吸附在CeO2上的吸附能的，按照文献把CeO2切了110面后，2*3进行扩胞，The vacuum gap thickness设置的10埃，这样盒子的a,b方向大小就确定了，我是把N2O的盒子和吸附的盒子大小一样，我试过提高收敛精度EDIFF=1E-8，EDIFFG=-1E-4，优化后虚频更大了，还有请问为什么要固定一个原子呢？

hakuna · 发表于 Post on 2019-6-6 19:13:40

本帖最后由 hakuna 于 2019-6-6 19:14 编辑

下午茶发表于 2019-6-5 08:45
我是算N2O吸附在CeO2上的吸附能的，按照文献把CeO2切了110面后，2*3进行扩胞，The vacuum gap thickness ...

气相分子计算时，放在大盒子里，不是把吸附结构表面移除就OK的

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