U3Si2中加入一个He原子后结构优化发生较大异常形变

RRRouge

大家好，我目前在做毕设需要使用VASP做一些结构优化和静态计算。其中有在U3Si2中加入一个He原子的结构优化，输出的CONTCAR中U3Si2结构发生了太大变化——原本在同一个面的U与Si原子分离成了两个面，请教导师后被告知是胞太小了，我改用2*2*3的超胞以后，情况好了点，但是在一些结构中仍然出现了两种原子所在平面分离的情况，导师也不知道是怎么回事了，我觉得应该不是胞体大小的问题了，因为看了一些论文后感觉2*2*3的超胞已经足够大了（大概14A*14A*12A），但是我本科不是学的材料物理或者化学，对此也不是很懂，所以来请教大家
Startparameter for this run
  PREC = Accurate
  ISTART = 0          ! 0-new  1-restart  2-samcut
  ICHARG = 2          ! 0 from iniwave; 1 from CHGCAR; 2 from atom; 11 for band calculation
  ENCUT = 350      ! 252.50_from OUTCAR

Electronic relaxation
  NELM = 80           ! Max of electronic SC steps
  NELMIN = 2          ! Min of electronic SC steps
  EDIFF = 1.E-06      ! stopping-criterion of Etot for electronic loop
  LREAL = Auto        ! projection done in real space, before:F
  ALGO = Normal       ! IALGO=38 in NELMDL then changed to 48, change to normal(IALGO=38) if unconverged, changed to Very_Fast 10-09,before: Normal
  GGA = PE
  NBANDS = 1260    ! before =80, changed to 1200 2018-10-06

Ionic relaxation
  EDIFFG = -0.03      ! stopping-criterion of force for ionic loop (negative)
  NSW = 500           ! ionic steps
  IBRION = 2          ! 1-quasi-Newton(if has good guess of initial positions) 2-CG  0-MD
  ISIF = 2            ! 3 for CG(calculate stress tensor and cell change); 0 for MD(no stress tensor and no cell change)
  POTIM = 0.25        ! for CG it's relative with the length of trial step; for MD it's time step in fs

DOS related values
#  EMIN = 0
#  EMAX = 10
#  NEDOS = 800
#  ISMEAR = 0          ! -5 for semiconductors or insulators, 0 for large cell or few k-points, 1 for metal and set SIGMA
#  SIGMA = 0.05

Write flags
  LWAVE = F
  LCHARG = F
  LORBIT = 12

  NPAR = 4
附图是POSCAR以及产出的CONTCAR的侧面视图，可以发现很明显的变形，附图的是在超胞中弄一个Si原子缺陷，然后把He原子填补到那个Si缺陷的位置的结构优化先谢谢大家了