求助！materials studio吸附过程中的问题

chiara

我现在在做ms help 里面关于吸附的例子：SO2吸附在Ni（111）面上的吸附。但是他这个切面是怎么设置出来的，我下次遇到别的晶体就不会设置了，现在有以下这些问题：
图1：
1.为什么要点Forcite里面的结构优化，点CASTEP里面的结构优化可以嘛
2.力场计算一定要选COMPASS吗
图2、图3：
3.为什么the Fractional Thickness 设置为6，根据什么设置这个参数呢
4.non-band interaction是什么意思
图4：
5.超晶胞2×2是如何定的呢
图5：
6.为什么要设置真空厚度。“真空深度应以键切断和吸附分子的形状为基础。这通常应该被过度估计，以确保吸收物只与表面相互作用”是什么意思。为什么它设置成了15A，根据什么设置这个参数呢
图6:
help写道：单击“添加”按钮，将所选原子包括在吸附计算的目标集中。选中“设置最大吸附距离”复选框，并输入值5.0。可是我我界面上没有add 也没有复选框是什么情况

灰天皮匠

http://bbs.keinsci.com/thread-13071-1-1.html
第一性原理的内容在这个帖子总结的很好，可以看看。遇到问题可以通过软件手册以及第一性原理中文学习网站（例如大师兄科研网）解决。如果老板不懂计算，建议换老板。

chiara

灰天皮匠 发表于 2019-8-30 11:35
http://bbs.keinsci.com/thread-13071-1-1.html
第一性原理的内容在这个帖子总结的很好，可以看看。遇到问 ...

天哪，你怎么知道我老板不懂计算 学的好绝望啊。我可否请教一下您呢

starrywang

3. thickness是表面以下的厚度，越大当然越真实，但是计算量会增大。在你的计算中，需要你自己测试thickness多大比较合适（计算结果基本不随厚度增加而发生变化）
5. 超晶胞大小决定了你表面的大小。由于是周期性结构，表面小了，表面上吸附的分子密度就大了。在你的计算中，需要你自己测试超晶胞多大比较合适。
6. 真空层是在切好的面上方留一个空间，给你放置吸附分子。其本质是建立了一个新的晶胞，这个晶胞中存在一个很空的空间，你把吸附分子放在真空层中，成为这个晶胞的一部分。计算针对整个晶胞。 真空层高度越大当然越真实，但是计算量会增大。在你的计算中，需要你自己测试真空层高度多大比较合适（计算结果基本不随真空层高度增加而发生变化）。

chiara

starrywang 发表于 2019-8-30 14:20
3. thickness是表面以下的厚度，越大当然越真实，但是计算量会增大。在你的计算中，需要你自己测试thicknes ...

谢谢，那castep也可以计算吸附，adosortion locator 也可以，两者的区别是否为castep考虑了电子，adosortion locator没有考虑电子呢，还有castep需要我确定吸附质的位置，不能他给我算出来吗