fly1992 发表于 2017-12-4 09:18 固体中,因为bloch定理,单粒子能级多了个vector k,能级和k之间的关系就是能带色散关系,反过来,对于原来没有周期性的情况你可以认为是k=(0 0 0)(也就是Gamma点)且周期边界L->∞的情况,此时能带就变成了简单的能级。DOS也是类似,在非周期情形下其实仅有Gamma点的贡献,扩展到周期体系之后就要按照多个k的贡献进行求和,横坐标的能量就对应单粒子能级,且与能带一一对应。注意,程序算出来的可能会根据Fermi能级或价带顶做平移。 |
卡开发发 发表于 2017-11-30 11:43 您好,感谢您的回复,这两天在准备考试,没看到有回复的消息。还想请教您几个问题,比如我计算了PDOS以后,大概应该怎么处理数据得到具体的位置?还有您所说的fat band,这个不是用来确定特定轨道对每个能带的贡献的吗?这个如何关联到具体具体能带中具体能级的位置呢? |
fly1992 发表于 2017-11-23 14:53 一般的固体程序自身都可以进行PDOS的计算,除了PDOS你也可以采用fat band来做,具体实现细节得看你自己本身用什么程序算。 |
fly1992 发表于 2017-11-27 09:33 如果只是真空下的Eu2+、Eu3+,高斯里算个单点就出来。但如果是指晶体环境中的情况,高斯没法直接算(或者你挖个团簇来算单点,之后用Multiwfn绘制团簇中Eu的PDOS图考察其各个能级的位置) |
fly1992 发表于 2017-11-23 14:53 看你用的程序,Multiwfn只能基于量子化学程序(Gaussian、ORCA、Molpro等)得到的波函数信息绘制这种图,如果是VASP/CASTEP/QE等就不支持了。 |
liyuanhe211 发表于 2017-11-23 00:18 感谢您的恢复。不过我做的是固体的材料,您说的这个软件可以计算吗? |
可以用Multiwfn绘制f轨道对分子轨道展宽得到的DOS的贡献观察。 |
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