计算化学公社»论坛首页 › 理论与计算化学 (Theoretical and Computational Chemistry) › 第一性原理 (First-principles) › 通过CINEB计算的到能垒和轨迹计算离子扩散系数

通过CINEB计算的到能垒和轨迹计算离子扩散系数

查看数: 22768 | 评论数: 10 | 收藏 Add to favorites 2

关灯 | 提示：支持键盘翻页<-左右->

帖子模式

Jack

发布时间: 2017-10-14 12:50

正文摘要:

在文献Using First-Principles Calculations for theAdvancement of Materials for Rechargeable Batteries(Adv. Funct. Mater.,2017, DOI: 10.1002/adfm.201702887)中看到计算离子扩散系数的公式和方法，如下图1 ...

回复 Reply

Jack 发表于 Post on 2018-4-19 19:34:07

chbw 发表于 2018-4-19 17:50
做这个之前需要进行带电体系的结构优化吧

要的

chbw 发表于 Post on 2018-4-19 17:50:33

做这个之前需要进行带电体系的结构优化吧

Jack 发表于 Post on 2018-3-29 17:53:51

栗子V帆哥发表于 2018-3-29 17:08
您好，能请教一下如何计算Li的迁移吗

我用的VASP

栗子V帆哥 发表于 Post on 2018-3-29 17:08:36

您好，能请教一下如何计算Li的迁移吗

Jack 发表于 Post on 2018-3-20 14:08:18

dcckin 发表于 2018-3-20 10:56
MS可以吗

MS没用过，好像有量化模块，应该会带吧

dcckin 发表于 Post on 2018-3-20 10:56:08

Jack 发表于 2018-3-8 20:56
VASP可以啊，Gaussian可以得到孤立体系的能垒了轨迹

MS可以吗

Jack 发表于 Post on 2018-3-8 20:56:19

dcckin 发表于 2018-3-8 15:45
请问，用什么软件可以得到轨迹和能垒呢。谢谢

VASP可以啊，Gaussian可以得到孤立体系的能垒了轨迹

dcckin 发表于 Post on 2018-3-8 15:45:20

请问，用什么软件可以得到轨迹和能垒呢。谢谢

Jack 发表于 Post on 2017-10-15 22:55:23

菩城发表于 2017-10-15 18:10
不清楚你要表达什么意思，现在VASP嵌入了NEB和CI-NEB，都可以计算迁移势垒

我的意思是跟图第一篇文献中提到的（图1中已展示出），通过确定轨迹和能垒，利用TST理论和NEB方法可以计算得到离子的扩散系数，但是当我把文献2中数值代入文献1中的公式计算时，发现计算的结果不吻合。
以计算Dab来说，能垒为0.8eV，因为文中没有提及温度，可以取T=300K，算得k=4x10(-2)。代入图1中的11式，取c=0；对于a的取值，都是在A左右，这样算出来的数值和图2中Dab=10(-14)差好多，我的计算过程是有问题还是利用其他的方法计算得到的。谢谢！

菩城 发表于 Post on 2017-10-15 18:10:43

不清楚你要表达什么意思，现在VASP嵌入了NEB和CI-NEB，都可以计算迁移势垒

		自动登录 Automatic login	找回密码 Forget password
密码 Password			注册 Register