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求助BiVO4体系F掺杂前后的能带计算问题

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发布时间: 2025-3-8 12:12

正文摘要:

本帖最后由 18926938897 于 2025-3-12 19:17 编辑 本人做的是BiVO4体系,研究方向是光电催化,目前初学阶段,正在着手能带结构方面的计算,问题是计算的纯样和氟掺杂的带隙相差很大,但文献中说是两者带隙几乎不 ...

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18926938897 发表于 Post on 2025-3-12 19:18:34
1372133091 发表于 2025-3-8 13:28
把INCAR文件贴上来,这样更方便大家分析。
从图中看起来是F掺杂后体系有磁性,自旋上下的能带结构不一致, ...

感谢提醒,本人初次使用,已经上传附件INCAR,请您分析一下
sobereva 发表于 Post on 2025-3-8 23:33:37
帖子标题不得乱用叹号,置顶的新社员必读贴以及http://bbs.keinsci.com/thread-9348-1-1.html都明确说了。这次给你改了,下次乱用叹号直接删帖扣分处理。

如置顶的新社员必读贴、论坛首页的公告栏、版头的红色大字非常明确所示,求助帖必须在帖子标题清楚、准确反映出帖子具体内容,避免有任何歧义和含糊性,仔细看http://bbs.keinsci.com/thread-9348-1-1.html。我已把你的不恰当标题 “求助!!能带计算” 改了,以后务必注意
1372133091 发表于 Post on 2025-3-8 13:28:19
把INCAR文件贴上来,这样更方便大家分析。
从图中看起来是F掺杂后体系有磁性,自旋上下的能带结构不一致,导致了带隙的变化。

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