Stardust0831 发表于 2025-3-26 20:05 是的！好像是靠非键作用吸附到表面上，就看覆盖率和团聚来说的话这能不能近似实际情况呢？我看了您的帖子发现我关心的模拟问题跟您的很像，还请多多指教！ |
qz844 发表于 2025-3-5 10:56 我记得这篇正刊其实没有用反应力场，所以在他们的模拟过程中2PACz在ITO表面不会发生那个和羟基的反应。他们更关注的是2PACz的覆盖率和团聚之类的。 |
ranyyx 发表于 2025-3-24 21:04 是正常的，conventional cell就是这么多原子，你要少的得primitive cell |
ranyyx 发表于 2025-3-24 21:00 请教一下谢谢您了 |
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| 您好请问您的氧化铟的cif文件是什么啊，我从cod上找的cif文件里面原子数很多是正常的吗 |
sobereva 发表于 2025-3-5 12:45 好的，感谢老师！ |
qz844 发表于 2025-3-5 10:56 你觉得理应加就加。如果有疑点可以直接发邮件问作者 |
本帖最后由 qz844 于 2025-3-5 10:59 编辑 sobereva 发表于 2025-3-5 06:02 非常感谢sob老师的回复！贴文已经重新编辑。看了您的文章已了解rigid molecules用CHELPG电荷已经足够了，周期性表面用REPEAT电荷。 还有两个问题想请教老师就是：羟基是分子与表面结合的关键，在文献中的MD模拟用的是Lammps，我看了Lammps的输入文件，他们既没有羟基，也没有溶剂（实际薄膜制备都有）。我在建模的时候需要把这两个加上去么？这篇文章是Nature上的，我不太确定他们的模拟是不是能近似实际情况。感谢老师的解答！ |
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根本没贴图。仔细看置顶的社员必读贴了解怎么贴图 这不是算RESP电荷的场合，此时RESP相对于CHELPG等普通拟合静电势电荷没有额外好处。并且对于周期性表面应当算REPEAT电荷，仔细看下文里的相关描述了解特点和差异 一篇深入浅出、完整全面介绍原子电荷的综述文章已发表！ http://sobereva.com/714（http://bbs.keinsci.com/thread-46067-1-1.html） REPEAT电荷可以用CP2K算，这里说了： 使用Multiwfn非常便利地创建CP2K程序的输入文件 http://sobereva.com/587（http://bbs.keinsci.com/thread-21668-1-1.html） |
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