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发布时间: 2024-12-28 16:09
正文摘要:在使用cp2k对异质结构进行TDDFT计算时，计算得到的HOMO-LUMO gap总是特别的小（0.0几eV）。我想问一下这个计算结果是正常的吗？不正常的话问题是出在什么地方？ |
sobereva 发表于 2025-1-1 01:22 感谢sob老师！ |
kirito阐释 发表于 2024-12-30 10:57 开smearing进行计算会发现前线轨道严重分数占据，而且分数占据显著的轨道出现在SiO2的下表面以及与BN的接触部分，体现出这部分有严重的静态相关，前线轨道有显著近简并特征，所以HOMO-LUMO gap非常小并不意外。如果把下表面的悬键进行饱和处理，并且SiO2和BN接触部分合理处理成键，别让键都悬着，应当就不会有那么小的gap。原理上可以靠分子动力学让接触面的成键情况自发调整，但极为昂贵 |
kirito阐释 发表于 2024-12-30 10:57 那应该先查文献里的计算模型，搞清楚异质结界面的具体结构和相对于两种纯物质晶体结构的变化（比如BN为适应SiO2的晶格而扩大局部层间距、BN边缘的N与SiO2边缘的Si成键等等，甚至可能BN层相对于SiO2并非这个取向），然后再谈计算参数设置合不合理。 |
Uus/pMeC6H4-/キ 发表于 2024-12-29 11:07 确实存在轨道仅位于BN或者SiO2部分的情况，仅计算BN的时候homo-lumo gap是2.7eV感觉还算正常 这样的话，是不是吧BN部分下移跟SiO2部分搭接到一起比较好？ |
sobereva 发表于 2024-12-29 00:57 好的，麻烦sob老师了 |
sobereva 发表于 2024-12-29 01:10 读取的是PBE0得到的molden文件 |
| 建模可能有问题，BN与SiO2的异质界面真长这样吗？没准因为当前计算的模型中间那层空隙，算出来的带隙其实只对应上半或者下半部分的晶体轨道呢，不妨检查下晶体轨道的分布、在同样参数设置下对单独的BN和单独的SiO2都计算带隙作为对比。 |
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用PBE做TDDFT毫无意义，用处仅限于产生给PBE0的初猜波函数 说具体截图里的信息是怎么看的，Multiwfn读取的什么任务的molden文件。描述问题时不要有丝毫的含糊性和可能的歧义。 |
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