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关于差分密度与成键

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lyfchem

发布时间: 2015-12-29 21:37

正文摘要:

本帖最后由 lyfchem 于 2015-12-29 21:40 编辑 The charge density difference analysis shows that there is strong accumulation of electrons between O2* to Au and Ce3+ (Figure 5c), indicative of formati ...

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sobereva 发表于 Post on 2015-12-31 01:08:26

通过共价方式成键总是伴随着电子向二者之间交叠区域转移，使得这部分区域电子密度增加，体现在密度差图中

root 发表于 Post on 2015-12-29 22:47:03

1: strong accumulation of electrons between O2* to Au and Ce3+ (Figure 5c)，这里“电子积累”和“成键”就是同义词

2: O2在CeO2上的吸附应该很弱吧，范德华阱的位置估计比较远（猜的，没算过），O2离表面的距离小于范德华阱的时候就只剩下排斥力了

说得不一定准确，仅供参考

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