jiewei 发表于 2015-9-12 18:00
cut-off energy for mixing                      :  380.0       eV
如果你实在不方向 把 cutoff energy  ...

老师您好，您在这里说指的收敛进度提高是指在electronic\SCF tolerance 选项里面进行修改吗？我原本是选择的fine，请问我应该选到什么级别一般较理想？非常感谢老师。

卡开发发 发表于 2015-9-12 21:35
对，直至k和截断能都收敛。真空层原则上要测试，不太可能没有密度，金属表面比较容易，上下表面排列一样 ...

非常感谢老师的详细简单，我先进行测试，有问题再请教您，非常感谢

lzc 发表于 2015-9-12 20:14
谢谢老师。这样哦，老师，那么k点跟截断能我就是设置不同的k点及截断能进行计算然后进行比较是吗？另外真 ...

对，直至k和截断能都收敛。真空层原则上要测试，不太可能没有密度，金属表面比较容易，上下表面排列一样，你可以当作两个表面是两块金属，拉开到一定距离就没有相互作用了，因此能量、层间距可当作一项标准，另外，work funtion也应该趋于定值，可能小幅震荡，差不多就行了。

卡开发发 发表于 2015-9-12 19:04
截断能和K要测试，默认的fine一般不够。

赝势一般情形分子和固体可以通用，赝势不通用的情形在pseudop ...

谢谢老师。这样哦，老师，那么k点跟截断能我就是设置不同的k点及截断能进行计算然后进行比较是吗？另外真空层的厚度我是不是也要进行类似的测试，真空层的厚度选取是不是在真空层里面没有电荷密度就可以了？谢谢老师

lzc 发表于 2015-9-12 18:29
谢谢老师，我再调整一下试试，谢谢谢谢

截断能和K要测试，默认的fine一般不够。

赝势一般情形分子和固体可以通用，赝势不通用的情形在pseudopotential的选项卡可以找到专门用于分子体系的硬赝势。一般赝势会根据特定泛函的全电子计算来fitting。

jiewei 发表于 2015-9-12 18:00
cut-off energy for mixing                      :  380.0       eV
如果你实在不方向 把 cutoff energy  ...

谢谢谢谢，谢谢老师，我都调整一下试试，谢谢谢谢

卡开发发 发表于 2015-9-12 17:28
也不一定，有时候也许变化不大，所以正好就这样了，不过这样的情况不多。

非要挑点毛病的话，这种非四 ...

谢谢老师，我再调整一下试试，谢谢谢谢

cut-off energy for mixing                      :  380.0       eV
如果你实在不方向 把 cutoff energy 取高点， 收敛精度取高点再优化就是了。

另外，你重晶体中切的结构，在低收敛标准下 一步结束是正常的。 特别是对于无机分子。 因为好多的赝势就是根据实验晶体来的

lzc 发表于 2015-9-12 17:14
谢谢老师，但是这个我是从完美晶体中切出一个面，建立的这样一个带有真空层的slab模型，按理来说这样的模 ...

也不一定，有时候也许变化不大，所以正好就这样了，不过这样的情况不多。

非要挑点毛病的话，这种非四方的结构还是KPOINTS取奇数比较好，还有真空层小了点。

卡开发发 发表于 2015-9-12 16:52
一般没啥问题，可能第一步算下来正好能够落在收敛标准内，castep这点还是很让人放心的。

谢谢老师，但是这个我是从完美晶体中切出一个面，建立的这样一个带有真空层的slab模型，按理来说这样的模型进行优化应该会有层间距的变化的吧？

一般没啥问题，可能第一步算下来正好能够落在收敛标准内，castep这点还是很让人放心的。