sobereva 发表于 2025-4-4 20:07 好的，非常感谢老师 |
jingzhe111 发表于 2025-4-3 15:06 既然是从n跃迁走的，肯定看的是n对hole的贡献。而且由于明确了电子要跃迁到pi*轨道，所以还得看pi对electron的贡献。可以把这两个部分取最小值当n-π*跃迁成分 |
sobereva 发表于 2025-4-3 13:23 谢谢老师的回复。我计算的体系是MR-TADF分子，涉及到N、S、Se等含孤对电子的杂原子。我看到“根据El-Sayed规则，若S与T态间的跃迁涉及轨道类型变化(如1(π,π*)→3(n,π*))，则ISC速率显著提高”。 在做了S1和T1态的电子空穴图后，发现两者区别不大。因此我想要计算单线态和三线态跃迁中n-π*跃迁的成分，通过n-π*跃迁成分的差异大小来解释ISC速率提高的原因。 我通过Multiwfn计算了分子中全部杂原子对空穴轨道和对电子轨道的贡献，但不清楚n-π*跃迁成分是应该用全部杂原子对electron轨道贡献之和还是用对hole轨道贡献之和来表示？ |
jingzhe111 发表于 2025-4-3 13:19 取决于“n的比例”怎么定义，没有统一标准 |
sobereva 发表于 2020-3-13 10:13 请问老师，在计算n的比例时，可以用Multiwfn的空穴-电子分析计算空穴和电子中的杂原子的占比来表示吗？如果可以的话，是应该看杂原子占ele 的比例还是杂原子占hole的比例，亦或是两者之差？ |
sobereva 发表于 2020-3-13 10:13 收到，谢谢sob老师。 |
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可以做NTO分析，然后用此文的方法计算本征值最大的NTO的pi成份（当然，如果本来就有主导性的MO，直接对MO分析即可）： 在Multiwfn中单独考察pi电子结构特征 http://sobereva.com/432（http://bbs.keinsci.com/thread-10610-1-1.html） 还一种办法是用下文的做法，计算各种类型NBO对电子激发的密度差的贡献。NBO是明确分为LP、sigma、pi的 使用Multiwfn考察分子轨道、NBO等轨道对密度差、福井函数的贡献 http://sobereva.com/502（http://bbs.keinsci.com/thread-14237-1-1.html） |
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