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光学性能、DOS、能带等计算前的优化步骤是否必须有?

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发布时间: 2019-1-9 09:45

正文摘要:

各位老师好,我最近用vasp模拟一个GeSbTe合金体系升温(600-1200K)发生结构变化的过程,如在1152K时,发现结构中原子跳跃发生明显位移,在此温度下又另外进行了10ps的等温模拟已获得该温度的平衡结构。我想比较升温 ...

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