关于离子在表面的吸附，我有如下问题：
1.无电场下，带有+1电荷的阳离子的设置，我是这样设的，NEGLECT = (价电子数 — 1）, 请问在后续的slab吸附计算，还有孤立离子计算，这种带电体系是否要考虑偶极校正对能量的修饰，不做校正，如 果模型在等胞大小情况下，也不可以比较相对能量吗？
这个问题的提出是因为我参看manual，有如下表述（It is important to emphasize that the total energy can not be corrected for charged slabs, since a charged slab results in an electrostatic potential that grows linearly with the distance from the slab,...Presently, no simple a posteriori correction scheme is known or implemented in VASP. Total energies from charged slab calculations are hence useless, and can
not be used to determine relative energies. ）
2.有电场下，同样离子吸附体系，涉及到如下参数(manual 6.64)
NELECT = (价电子数 — 1）
EPSILON = ??? （孤立原子，分子自动为1，slab模型下，是否应该参照手册，将离子对介电常数的影响也归入）
DIPOL = ??? (是选择默认，还是 center of mass）
IDIPOL = 3 （z方向）
LDIPOL = .TRUE.
EFIELD = ??? (这个比如我想设置板间0.1V , 那么就用0.1除以真空层高度吗，还有双电层的紧密层与外面扩散层的电压不是连续线性变化的，那么 在设置该参数时，是不考虑这个因素吗？)