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标题: 计算的能带结构和文献差别较大，请高手指点 [打印本页]

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Author: gaussian08 时间: 2018-3-23 05:10
标题: 计算的能带结构和文献差别较大，请高手指点
大家好，前几天发个一个帖子，当时可能没有说清楚。
我用VASP做一个2D材料的能带结构，POSCAR的结构直接用文献提供的结构参数以及赝势文件，初始结构进行了一次优化
然后scf，最后通过下面的INCAR计算带结构
ISTART=1；ICHARG=11
IBRION=-1；ISYM=0；NSW=0；POTIM=0.1
NELM=100；EDIFF=1E-7；EDIFFG=-0.01
ISMEAR=0；SIGMA=0.02
ISIF=2；ENCUT=480；PREC=Medium
LREAL=Auto；ALGO=Fast
IALGO=48；LDIAG=.TRUE.
GGA=HSE；LWAVE=.T.
LCHARG=.T.；LAECHG=.T.
NPAR=4；LORBIT=11
NBANDS=41

发现和文献的结果差别很大：
文献的为：

(, 下载次数 Times of downloads: 73)
而我计算的为：

(, 下载次数 Times of downloads: 49)
上一个帖子有人说，K点路径不对，但我是按文献的K点路径做的，KPOINT文件如下

HEX (hexagonal) G-M-K-G-A-L-H-A L-M K-H
20 ! 16 grids
Line-mode
reciprocal
0.000 0.000 0.000 ! \Gamma
0.3333 0.3333 0.000 ! K
0.3333 0.3333 0.000 ! K
0.500 0.000 0.000 ! M
0.500 0.000 0.000 ! M
0.000 0.000 0.000 ! \Gamma
请高手指点，万分感谢！

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