计算化学公社

标题: 如何使用VMD来建立羟基和羰基随机修饰的氧化石墨烯模型呢? [打印本页]

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wanse    时间: 2017-11-19 14:50
标题: 如何使用VMD来建立羟基和羰基随机修饰的氧化石墨烯模型呢?
我在使用vmd生成了4×4nm石墨烯模型之后,我如何使得羰基和羟基按比率随机的修饰在石墨烯表面,从而形成氧化石墨烯构型呢?
作者
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wanse    时间: 2017-11-20 14:01
真的没人指导一下么
作者
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jiangning198511    时间: 2017-11-20 14:57
wanse 发表于 2017-11-20 14:01
真的没人指导一下么

估计很难实现,你可以试试MS
作者
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wanse    时间: 2017-11-20 15:46
jiangning198511 发表于 2017-11-20 14:57
估计很难实现,你可以试试MS

可是ms不知道如何实现随机分布,这个该怎么弄呢
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ruanyang    时间: 2017-11-20 19:51
最好的办法是自己写一个程序来实现这个功能,VMD肯定可以实现,前提你会写TCL脚本,调用VMD即可,基本思想:
1)首先是构建好纯的石墨烯片层
2)将上述石墨烯中的原子序号作为一个group
3)随机的添加氧原子(环氧,羟基均存在键长和键角可以作为约束条件),然后将与氧原子相连的C原子放到另一个group中,在每次循环的时候不要选中这个group中的原子
4)当O/C比达到指定的比例的时候即可停止
5)根据PDB文件的格式进行输出即可
作者
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wanse    时间: 2017-11-20 23:01
ruanyang 发表于 2017-11-20 19:51
最好的办法是自己写一个程序来实现这个功能,VMD肯定可以实现,前提你会写TCL脚本,调用VMD即可,基本思想 ...

嗯嗯,谢谢大神
作者
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dark_cosmos    时间: 2017-11-20 23:59
之前写过一个小程序,刚才没找到,我印象是用Python写的一个程序,生成的是lammps的data文件,为了省事没有写bond,只写的atom,之后再用软件自动产生bond。需要注意的事基团在石墨烯面两侧都生长的;考虑环氧基的时候在周期边界处很麻烦,程序需要额外的注意一下,否则基团不太均匀(你的模型有羰基应该不是周期性的GO?)。好久没做碳了,祝好运。
作者
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wanse    时间: 2017-11-21 00:17
dark_cosmos 发表于 2017-11-20 23:59
之前写过一个小程序,刚才没找到,我印象是用Python写的一个程序,生成的是lammps的data文件,为了省事没有 ...

对,因为不是周期性的GO,所以生成起来比较麻烦




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