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标题: 通过CINEB计算的到能垒和轨迹计算离子扩散系数 [打印本页]

作者
Author: Jack 时间: 2017-10-14 12:50
标题: 通过CINEB计算的到能垒和轨迹计算离子扩散系数

在文献Using First-Principles Calculations for theAdvancement of Materials for Rechargeable Batteries(Adv. Funct. Mater.,2017, DOI: 10.1002/adfm.201702887)中看到计算离子扩散系数的公式和方法，如下图1

在另一篇文献PHYSICAL REVIEW B 65, 235423 (2002) 中看到如下图2一段话，然后用上述方法计算时，得到的结果与文献中的不一致。请问大家是怎么计算的？

作者
Author: 菩城 时间: 2017-10-15 18:10
不清楚你要表达什么意思，现在VASP嵌入了NEB和CI-NEB，都可以计算迁移势垒

作者
Author: Jack 时间: 2017-10-15 22:55

菩城发表于 2017-10-15 18:10
不清楚你要表达什么意思，现在VASP嵌入了NEB和CI-NEB，都可以计算迁移势垒

我的意思是跟图第一篇文献中提到的（图1中已展示出），通过确定轨迹和能垒，利用TST理论和NEB方法可以计算得到离子的扩散系数，但是当我把文献2中数值代入文献1中的公式计算时，发现计算的结果不吻合。
以计算Dab来说，能垒为0.8eV，因为文中没有提及温度，可以取T=300K，算得k=4x10(-2)。代入图1中的11式，取c=0；对于a的取值，都是在A左右，这样算出来的数值和图2中Dab=10(-14)差好多，我的计算过程是有问题还是利用其他的方法计算得到的。谢谢！

作者
Author: dcckin 时间: 2018-3-8 15:45
请问，用什么软件可以得到轨迹和能垒呢。谢谢

作者
Author: Jack 时间: 2018-3-8 20:56

dcckin 发表于 2018-3-8 15:45
请问，用什么软件可以得到轨迹和能垒呢。谢谢

VASP可以啊，Gaussian可以得到孤立体系的能垒了轨迹

作者
Author: dcckin 时间: 2018-3-20 10:56

Jack 发表于 2018-3-8 20:56
VASP可以啊，Gaussian可以得到孤立体系的能垒了轨迹

MS可以吗

作者
Author: Jack 时间: 2018-3-20 14:08

dcckin 发表于 2018-3-20 10:56
MS可以吗

MS没用过，好像有量化模块，应该会带吧

作者
Author: 栗子V帆哥 时间: 2018-3-29 17:08
您好，能请教一下如何计算Li的迁移吗

作者
Author: Jack 时间: 2018-3-29 17:53

栗子V帆哥发表于 2018-3-29 17:08
您好，能请教一下如何计算Li的迁移吗

我用的VASP

作者
Author: chbw 时间: 2018-4-19 17:50
做这个之前需要进行带电体系的结构优化吧

作者
Author: Jack 时间: 2018-4-19 19:34

chbw 发表于 2018-4-19 17:50
做这个之前需要进行带电体系的结构优化吧

要的

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