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标题: 关于电荷密度、差分电荷密度以及电荷转移的问题 [打印本页]

作者
Author: 茶味果冻 时间: 2014-10-21 13:57
标题: 关于电荷密度、差分电荷密度以及电荷转移的问题
本帖最后由茶味果冻于 2014-10-24 10:45 编辑

今天不经意翻了一篇文献，文件中建立的模型如下图1模型 (, 下载次数 Times of downloads: 2260)
这里文献是采用VASP计算的分子动力学的relax，之后有计算了电子密度（我理解的是）结果如下图图2计算结果
(, 下载次数 Times of downloads: 2296)
这里我有几个问题这三个图计算的是整个体系的电子密度还是差分电荷密度？中间图和最右边的图中的电子密度计算一般怎么实现？比如中间图的电子密度计算时候是把上面原子固定不计算，直接计算下面的原子的电荷密度？左边图是固定下面原子不计算，直接计算上边原子的电荷密度？是这样实现的么？？最后，从这三个图中怎么观察电子转移情况？这个模型是金团簇吸附半导体二氧化钛表面，想分析光致激发，表面电荷转移的情况。本人新手刚学第一性原理计算不久，求高人解答啊谢谢了！

作者
Author: panger 时间: 2014-10-21 20:17
能分享下文献吗？

作者
Author: aqhuangry 时间: 2014-10-21 20:54
能分享下文件吗？aqhuangry@aliyun.com。谢谢！

作者
Author: jiewei 时间: 2014-10-21 22:01
我仔细看了看，图2和图1的截图方向似乎不一样，图二是从图1的左边看过去的。
另外无论咋个看图二都是计算了能带的电子密度。图2的3表示最高占据能带。
反正不管咋样，在用vasp计算的时候，在算能带的那一步计算上想要的能带就行了。

作者
Author: 茶味果冻 时间: 2014-10-22 10:01

jiewei 发表于 2014-10-21 22:01
我仔细看了看，图2和图1的截图方向似乎不一样，图二是从图1的左边看过去的。
另外无论咋个看图二都是计算 ...

好的，谢谢您的解答:)，我再仔细看看

作者
Author: 茶味果冻 时间: 2014-10-22 10:08

jiewei 发表于 2014-10-21 22:01
我仔细看了看，图2和图1的截图方向似乎不一样，图二是从图1的左边看过去的。
另外无论咋个看图二都是计算 ...

还有就是，图二中两边的图电子密度计算是我说的那样子嘛，就是要分别固定原子，计算其它的电子密度？？从图上怎么观察电子转移情况？这个您能帮解答吗谢谢！:)

作者
Author: 茶味果冻 时间: 2014-10-23 08:45
:):):)能帮助解答下问题嘛，谢谢了@sobereva

作者
Author: jiewei 时间: 2014-10-23 20:44

茶味果冻发表于 2014-10-22 10:08
还有就是，图二中两边的图电子密度计算是我说的那样子嘛，就是要分别固定原子，计算其它的电子密度？？从 ...

为什么要固定原子呢？差分电荷密度你可以去看看sob老师的 mutiwfn。
至于最后一个问题，表面你阅读文献量不够。所以你应该多看看有关电荷转移的文献就懂了。如果我给你讲解可能你就懒了，不利于你获取知识，这也是sob老师没有回答你问题的原因（我估计）

作者
Author: jiewei 时间: 2014-10-23 20:47

jiewei 发表于 2014-10-23 20:44
为什么要固定原子呢？差分电荷密度你可以去看看sob老师的 mutiwfn。
至于最后一个问题，表面你阅读文 ...

另外，我怎么看都觉得你给的图是说的能带电子密度图吧？要不你上传文献，我去仔细看看。

作者
Author: 茶味果冻 时间: 2014-10-24 10:46

aqhuangry 发表于 2014-10-21 20:54
能分享下文件吗？。谢谢！

附件

作者
Author: 茶味果冻 时间: 2014-10-24 10:46

panger 发表于 2014-10-21 20:17
能分享下文献吗？

附件

作者
Author: 茶味果冻 时间: 2014-10-24 10:48

jiewei 发表于 2014-10-23 20:44
为什么要固定原子呢？差分电荷密度你可以去看看sob老师的 mutiwfn。
至于最后一个问题，表面你阅读文 ...

她写的我看了，但是看不懂。。我是学暖通的，突然就被老师抓来做这方面的东西了，基础太差，时间又紧现在基本都是照葫芦画瓢的做。。。

作者
Author: 茶味果冻 时间: 2014-10-24 10:49

jiewei 发表于 2014-10-23 20:47
另外，我怎么看都觉得你给的图是说的能带电子密度图吧？要不你上传文献，我去仔细看看。

文献已经上传，附件

作者
Author: panger 时间: 2014-10-24 12:17

茶味果冻发表于 2014-10-24 10:46
附件

谢谢。

作者
Author: jiewei 时间: 2014-10-28 11:04
今天抽空看了一下原文。下图所有的都是含时电子密度。 Fig4a 指激发态的电子密度，Fig4b指激发态经过时间弛豫后的电子密度，Fig4c指激发态经过时间弛豫变成基态的电子密度（HOMO，也就是最高能带）。a图需要进行激发态的优化计算，然后得到电子密度，右边两图在优化结构上进行MD模拟。

作者
Author: 茶味果冻 时间: 2014-10-28 18:53

jiewei 发表于 2014-10-28 11:04
今天抽空看了一下原文。下图所有的都是含时电子密度。 Fig4a 指激发态的电子密度，Fig4b指激发态经过时间弛 ...

好的，学习了。如果要实现这样的计算，VASP自带的功能可以实现嘛？不过我现在学的是pwscf,里面用到TDDFT的好像是计算吸收光谱的，感觉文献里做的计算好深啊，我找到作者Oleg V. Prezhdo做的好几遍文章，都是用的一样的理论，做的计算。

作者
Author: abc 时间: 2014-10-28 23:54

jiewei 发表于 2014-10-28 11:04
今天抽空看了一下原文。下图所有的都是含时电子密度。 Fig4a 指激发态的电子密度，Fig4b指激发态经过时间弛 ...

原来电子密度还分这么多种，学习了，看来还要好好看看

作者
Author: damao4361556 时间: 2014-11-20 13:11
本帖最后由 damao4361556 于 2014-11-20 13:14 编辑

请问楼主用pwscf吗，能帮我解答下这个问题吗 http://emuch.net/bbs/viewthread.php?tid=8185305&fpage=1
但是本人还有几点不理解，
采用 ibrav=0 时， celldm(1) 究竟怎么取值呢？这个值是怎么得来的。设置完以后 cell_parameter的基矢该如何设置呢？
采用ibrav=0时， celldm(1)也可以不取值吗？不取值的话 cell_parameter 的基矢又该怎么设置呢？。

谢谢

作者
Author: 茶味果冻 时间: 2014-11-20 19:05

damao4361556 发表于 2014-11-20 13:11
请问楼主用pwscf吗，能帮我解答下这个问题吗 http://emuch.net/bbs/viewthread.php?tid=8185305&fpage=1 ...

ibrav=0的话，celldm(1)这个是必须有的pwscf中默认单位是bohr,所以a需要进行单位换算的，Bohr=0.52917706 angstrom;你换算就行了，后边cell_parameter指定晶胞的基矢，MS中建立好模型就能获得，注意单位

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