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标题: 吸附能的计算能量收敛标准的设置问题 [打印本页]

作者
Author: 落花飘雨679 时间: 2017-6-5 15:26
标题: 吸附能的计算能量收敛标准的设置问题
请教各位老师，我在用VASP计算一个分子在石墨烯上的吸附能的时候，当设置石墨烯与单分子的组合的能量收敛精度与计算单分子能量收敛精度相同时，一直都达不到收敛的精度，非常耗时，如果我在计算石墨烯与单分子的组合时将能量精度降低一个数量级，而单分子的不变，此时由能量相减得到的吸附能是否可信，还是我要重新计算单分子的能量？感谢各位老师的解答

作者
Author: 卡开发发 时间: 2017-6-5 21:17
分子放到石墨烯表面显然要重新优化，也许吸附能会更低呢？

把分子放到金属表面当然不能随便放，尽量根据结构化学上的知识以及经验能够让吸附构型尽可能合理，计算参数的选取也应当足够可靠。

关于构型难以收敛的情况，你可以参考http://sobereva.com/164，可以了解到一些构型优化的知识，但帖子的内容不见得能够完全移植到vasp上来。这里针对其中某些点略做说明进行补充：

1、vasp中只有IBRION=1~3可选，对应准牛顿法(QN)+DIIS和共轭梯度法，3是阻尼动力学。通常1和2使用比较多，其中CG方法比较稳健，适用于大部分情况，不过并不效率，每一步都得line search，有时候line search可能会挂掉；QN+DIIS相反，初始构型相当差的时候，若不做line search的话QN就不好，DIIS在这样的情形也不稳定不可靠，但接近平衡构型的时候DIIS则有比较好的加速效果http://sobereva.com/44中的2.1.3。

2、4在vasp无法实现，3增加步长的方式在原贴中不推荐，这里同样不推荐，参看原贴中的10。

6、虽然vasp本身没有采用置信半径的方式。在vasp中类似的方式是调整POTIM的值，这个做法是将力乘以POTIM这个缩放因子来控制步长δx=-POTIM*H^-1*g。

8、11、vasp采用的是平面波方法，所以控制基组大小的是截断能ENCUT，电荷密度网格也和ENAUG有关。所以一般做构型优化之前推荐还是做好收敛性测试比较好，而不推荐降低这些精度进行优化，对于构型优化难收敛的体系反而没有好处。

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