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标题: PBE0泛函计算ZrO2低估了带隙 [打印本页]

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Author: 软哨豆米 时间: 前天 15:51
标题: PBE0泛函计算ZrO2低估了带隙
各位老师大家好，本人最近在尝试用VASP计算ZrO2(001)的能带，模型有一个O缺陷，Z方向设置了20A的真空层，使用了VASPKIT生成了Kpath与KPOINTS文件，PBE0计算出来的带隙为1.7eV,与ZrO2约5eV的实验带隙尚有差距，请问产生如此大差距的原因，求各位老师不吝赐教

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Author: Stardust0831 时间: yesterday 19:04
既然目的是接近实验结果，为什么还要建模的时候在这么小的重复周期中留两个O缺陷？实验上不会有这么高浓度的缺陷的。
另外，为什么使用slab模型而不是体相的模型？

作者
Author: logzzz 时间: yesterday 20:16
另外补充楼上，为了实验上跟带隙对的好。目的明确，你应该找个合适的泛函？为啥用PBE0，一般不都是HSE06会更好一些么？

作者
Author: 软哨豆米 时间: 4 hour ago

Stardust0831 发表于 2025-8-12 19:04
既然目的是接近实验结果，为什么还要建模的时候在这么小的重复周期中留两个O缺陷？实验上不会有这么高浓度 ...

感谢，我用无缺陷的验算一下，用slab是因为我们的实验涉及ZrO2(001)表面

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Author: 软哨豆米 时间: 4 hour ago

logzzz 发表于 2025-8-12 20:16
另外补充楼上，为了实验上跟带隙对的好。目的明确，你应该找个合适的泛函？为啥用PBE0，一般不都是HSE06会 ...

感谢解答，HSE06也算了，带隙1.3eV,比PBE0还小

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