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标题: 关于CP2K计算气体分子在晶体表面吸附的问题 [打印本页]

作者
Author: THY 时间: 2025-5-15 11:22
标题: 关于CP2K计算气体分子在晶体表面吸附的问题
各位老师，本人想使用CP2K计算气体分子CH4在Cu(111)表面的吸附过程以及吸附能，根据吸附能公式 E=E吸附体系-E晶体-E气体

对于E吸附体系、E晶体、E气体三个系统的能量计算：

可否先建立一个吸附体系的inp文件，通过计算，获得E吸附体系

对于E晶体，可否通过将吸附体系的inp文件中CH4五个原子坐标删掉，然后直接进行计算，获得E晶体？

对于E气体，可否通过将吸附体系的inp文件中Cu原子坐标删掉，然后直接进行计算，获得E气体？

作者
Author: reid 时间: 2025-5-15 12:10
最好是先优化E晶体，然后再在上面放CH4. 至于最后那步无所谓，因为是简单的气体分子

作者
Author: qczcb2 时间: 2025-5-15 19:02
吸附能往往包括吸附前后形变导致的能量，你通过这种方式计算得到的被称为结合能，并不是同一个东西

作者
Author: sobereva 时间: 2025-5-16 06:52
把下文看了，弄清楚相互作用能和吸附能之间是什么关系、怎么算
谈谈分子间结合能的构成以及分解分析思想
http://sobereva.com/733（http://bbs.keinsci.com/thread-50890-1-1.html）

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