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标题: 采用VASPsol隐式溶剂模型进行结构优化导致碳酸锂分子断裂，后续该如何处理 [打印本页]

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Author: lsq647 时间: 2025-3-12 16:36
标题: 采用VASPsol隐式溶剂模型进行结构优化导致碳酸锂分子断裂，后续该如何处理
本帖最后由 lsq647 于 2025-3-12 16:46 编辑

如题，最近在尝试做锂二氧化碳电池的阴极催化材料，需要计算碳酸锂分子在催化剂表面上的吸附情况。加入溶剂化后发现Li-O键断裂，两个锂离子均迁移至其他位置甚至进入真空层，含锂的其他中间体（如LiCO2、Li2CO2等）也有相似的情况。为排除催化剂影响，尝试在一个10A的格子中单独优化一个碳酸锂分子，加入溶剂化后仍然破裂。并且发现锂离子的迁移程度与溶剂化模型中的相对介电常数设置相关，该值越大锂离子迁移越远。那么这种情况下后续该如何处理呢？如果吸附能可以采用真空中优化加上单点能计算溶剂化能，那么自由能台阶图的计算是否也要在真空中计算再加上溶剂化能？势垒的计算又该如何呢，毕竟ci-neb也是要对结构进行优化的。

贴一下使用的INCAR设置
SYSTEM = Li2CO3
NPAR = 4
ISTART = 1
ICHARG = 1
LWAVE = .FALSE.
LCHARG = .FALSE.
LVTOT = .FALSE.
LVHAR = .FALSE.
LELF = .FALSE.
IVDW = 11

ENCUT = 400
ISMEAR = 0
SIGMA = 0.05
EDIFF = 1E-5
NELMIN = 5
NELM = 300
GGA = PE
LREAL = Auto
ALGO = F
PREC = Normal
ISPIN = 2

EDIFFG = -0.02
IBRION = 2
POTIM = 0.2
NSW = 1000
ISIF = 2

LSOL = T
EB_k = 49
TAU = 0

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