计算化学公社

标题: 求助cp2k对异质结构进行TDDFT计算时，计算得到的HOMO-LUMO gap总是特别的小 [打印本页]

作者
Author: kirito阐释 时间: 2024-12-28 16:09
标题: 求助cp2k对异质结构进行TDDFT计算时，计算得到的HOMO-LUMO gap总是特别的小
在使用cp2k对异质结构进行TDDFT计算时，计算得到的HOMO-LUMO gap总是特别的小（0.0几eV）。我想问一下这个计算结果是正常的吗？不正常的话问题是出在什么地方？

作者
Author: sobereva 时间: 2024-12-29 00:57
如置顶的新社员必读贴、论坛首页的公告栏、版头的红色大字非常明确所示，求助帖必须在帖子标题明确体现出此帖内容是求助或提问，并清楚、准确反映出帖子具体内容，避免有任何歧义和含糊性，仔细看http://bbs.keinsci.com/thread-9348-1-1.html。我已把你的不恰当标题 “异质结计算tddft” 改了，以后务必注意！下次将删帖+扣分处理。

CP2K的问题别发到分子模拟版块，这次给你移动了，下次再乱找地方发帖直接删帖扣分处理！

作者
Author: sobereva 时间: 2024-12-29 01:10
用PBE做TDDFT毫无意义，用处仅限于产生给PBE0的初猜波函数
说具体截图里的信息是怎么看的，Multiwfn读取的什么任务的molden文件。描述问题时不要有丝毫的含糊性和可能的歧义。

作者
Author: Uus/pMeC6H4-/キ 时间: 2024-12-29 11:07
建模可能有问题，BN与SiO2的异质界面真长这样吗？没准因为当前计算的模型中间那层空隙，算出来的带隙其实只对应上半或者下半部分的晶体轨道呢，不妨检查下晶体轨道的分布、在同样参数设置下对单独的BN和单独的SiO2都计算带隙作为对比。

作者
Author: kirito阐释 时间: 2024-12-30 10:51

sobereva 发表于 2024-12-29 01:10
用PBE做TDDFT毫无意义，用处仅限于产生给PBE0的初猜波函数
说具体截图里的信息是怎么看的，Multiwfn读取的 ...

读取的是PBE0得到的molden文件

作者
Author: kirito阐释 时间: 2024-12-30 10:52

sobereva 发表于 2024-12-29 00:57
如置顶的新社员必读贴、论坛首页的公告栏、版头的红色大字非常明确所示，求助帖必须在帖子标题明确体现出此 ...

好的，麻烦sob老师了

作者
Author: kirito阐释 时间: 2024-12-30 10:57

Uus/pMeC6H4-/キ发表于 2024-12-29 11:07
建模可能有问题，BN与SiO2的异质界面真长这样吗？没准因为当前计算的模型中间那层空隙，算出来的带隙其实只 ...

确实存在轨道仅位于BN或者SiO2部分的情况，仅计算BN的时候homo-lumo gap是2.7eV感觉还算正常
这样的话，是不是吧BN部分下移跟SiO2部分搭接到一起比较好？

作者
Author: Uus/pMeC6H4-/キ 时间: 2024-12-30 11:17

kirito阐释发表于 2024-12-30 10:57
确实存在轨道仅位于BN或者SiO2部分的情况，仅计算BN的时候homo-lumo gap是2.7eV感觉还算正常
这样的话， ...

那应该先查文献里的计算模型，搞清楚异质结界面的具体结构和相对于两种纯物质晶体结构的变化（比如BN为适应SiO2的晶格而扩大局部层间距、BN边缘的N与SiO2边缘的Si成键等等，甚至可能BN层相对于SiO2并非这个取向），然后再谈计算参数设置合不合理。

作者
Author: sobereva 时间: 2025-1-1 01:22

kirito阐释发表于 2024-12-30 10:57
确实存在轨道仅位于BN或者SiO2部分的情况，仅计算BN的时候homo-lumo gap是2.7eV感觉还算正常
这样的话， ...

开smearing进行计算会发现前线轨道严重分数占据，而且分数占据显著的轨道出现在SiO2的下表面以及与BN的接触部分，体现出这部分有严重的静态相关，前线轨道有显著近简并特征，所以HOMO-LUMO gap非常小并不意外。如果把下表面的悬键进行饱和处理，并且SiO2和BN接触部分合理处理成键，别让键都悬着，应当就不会有那么小的gap。原理上可以靠分子动力学让接触面的成键情况自发调整，但极为昂贵

作者
Author: kirito阐释 时间: 2025-1-7 16:41

sobereva 发表于 2025-1-1 01:22
开smearing进行计算会发现前线轨道严重分数占据，而且分数占据显著的轨道出现在SiO2的下表面以及与BN的接 ...

感谢sob老师！

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