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标题: 关于Multiwfn中ICT的部分参数讨论 [打印本页]

作者
Author: gengle 时间: 2014-12-17 09:34
标题: 关于Multiwfn中ICT的部分参数讨论
对比ICT来说，现在很多人都用q(CT)和D（CT）这两个参数来定性比较染料分子的ICT强弱，我个人认为这两个参数只能用来定性分析ICT的存在与否，而用于定量的比较是不可为的。
例如，两个结构相近的分子A、B，A平面性很好，B平面性要差一些。我认为分子结构的平面性越好，ICT应该越好，而分子平面的扭曲必然会使ICT变得难一些。另一方面，分子扭曲会使空穴与电子的质心距离增大，也会增强空穴与电子的分离程度（t index）。也就是说，平面性较差的B反而会具有较大的q(CT)和D（CT），因此我认为利于上述两个参数去定性ICT是可以的，但是用来定量的比较是不合理的。
除了上面提到的几个参数外，Multiwfn还能得到一个参数S（空穴与电子的重叠积分），我觉得这个参数应该可以用来衡量ICT，S越大说明空穴与电子的轨道重叠程度越大，就相当于增大了转移通道，理当会使ICT变得更容易一些。对上面提到的B分子来说，其分子结构的扭曲必然会使S变小，从而使ICT减弱。因为我觉得从S的角度来考虑ICT似乎是可行的。

刚接触ICT没有多久，这个想法也是刚形成的，还是非常初浅的，欢迎大家来讨论。

作者
Author: sobereva 时间: 2014-12-17 21:59
很好的讨论。对于S的观点很赞成。
对于B，D确实可能很大，但q可能会比较小。

建议有时间的话，不妨找一系列分子，或者对同一个分子进行不同程度的二面角扭曲，系统地研究一下这些指标是怎么变化的，还包括Multiwfn也能计算的delta_r指数，应该会成为一篇有意思也有意义的文章。

作者
Author: gengle 时间: 2014-12-17 22:03

sobereva 发表于 2014-12-17 21:59
很好的讨论。对于S的观点很赞成。
对于B，D确实可能很大，但q可能会比较小。

多谢Sob的提议，我已经着手这方面的计算工作了，找了三组分子进行对比计算。关于同一分子不同程度扭曲，这个提议太好了，非常感谢

。

作者
Author: lylyqingdao 时间: 2015-3-24 19:35
我怎么觉得S应该表征局域激发的程度呢？我觉得S越大，局域激发的成份越多，而电荷转移成分可能会越少。我们发现激发态既有电荷转移成分，又有电子-空穴重叠，是不是就说明这个激发态是CT和LE的一种混合状态，如果S越大，LE成分越大啊？不知道multiwfn有没有什么参数可以确定CT 和LE的比例？请求指点！谢谢！

作者
Author: sobereva 时间: 2015-3-25 02:35

lylyqingdao 发表于 2015-3-24 19:35
我怎么觉得S应该表征局域激发的程度呢？我觉得S越大，局域激发的成份越多，而电荷转移成分可能会越少。我们 ...

你的观点和一般的观点是一致的，即：S越大，局域激发特征越强，电荷转移激发特征越弱。这种看法没错，只不过LZ从另一个角度去分析一个特殊的问题，也是有道理的。

CT和LE并没有一个明确的量去定义比例，但从electron-hole分析给出的S、D_CT、t指数，或者另一个功能给出的delta_r，都可以用来进行衡量。

作者
Author: lylyqingdao 时间: 2015-3-26 15:52
谢谢sob的解释，这个论坛很好，管理员很尽职，以后会常来！

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