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标题: NiTi-110表面吸附Cl离子的问题，以及是否需要考虑自旋极化，或色散矫正，或＋U矫正 [打印本页]

作者
Author: cywu 时间: 2024-6-3 17:05
标题: NiTi-110表面吸附Cl离子的问题，以及是否需要考虑自旋极化，或色散矫正，或＋U矫正
本帖最后由 cywu 于 2024-6-3 17:07 编辑

本人目前自学vasp，现在想算一下NiTi系列合金的耐蚀性能，有以下几个问题想请教各位老师，如果有理解的不对的地方还请各位老师批评指正。

vasp文档指出，带电离子的吸附时，计算所得的能量与真空层厚度相关。在某些情况下，两个带电表面之间的相对能量计算可能有用。但是，文档还指出，如果电子数量与“从价电子和原子数中”得出的数量不兼容，则假定为均匀背景电荷。那么有以下几个问题：
*采用NELECT标签增加的负电荷好像是被平均到了整个体系上，这与Cl离子的实际状况（负电荷在Cl离子周围）似乎不符，请教这种情况怎么解决；
*我每次计算采用相同的晶胞尺寸与真空层厚度，这样的结果之间是否有可比性？算出来的能量减去吸附前的能量是否可以近似为吸附能？如果不行，求教该如何处理；
*个人认为，如果描述离子吸附，应该采用Cl离子在溶液中的化学势，那针对吸附能计算，是否可以直接计算Cl离子吸附体系总能量，然后减去Slab能量和实验中的化学势（或化学势区间）以得到吸附能？
对于开启自旋极化后，能量与不开启自旋极化相同，且磁矩为0的无磁性体系，该体系吸附有未成对电子的原子，或吸附离子后，是否应该开启自旋极化？
如果是做表面上的单原子（离子）吸附，是否需要开启色散矫正？
同上，有文章计算NiTi表面Ni-O氧化物的时候，开启了+U矫正，但是有很多文章研究相同体系的O吸附能与吸附位点时候，从来没有提起这个矫正，那么针对Cl原子、离子的吸附位点、吸附能计算，是否也不需要开启这个？
最后想问一下，分析吸附原子表面态密度，是不是固定非表层原子，放开吸附原子与表层原子进行计算就可以？

问的比较啰嗦，望能得到老师们的指点，感激不尽！

作者
Author: nullzy 时间: 2024-6-3 20:45
带电体系可以用SCPC方法，具体操作参考：https://github.com/isobestico/SCPC-Method

作者
Author: cywu 时间: 2024-6-4 16:58

nullzy 发表于 2024-6-3 20:45
带电体系可以用SCPC方法，具体操作参考：https://github.com/isobestico/SCPC-Method

谢谢老师，不过我看这个矫正方法下面有一句：The SCPC method is suitable for semiconductor and / or insulating systems; the SCPC method should not be used in conductive systems such as metallic surfaces and metallic 3D-bulk. In metallic systems, the dielectric is, by definition, infinite and there are no localized charged defects on this type of systems.
SCPC 方法不应用于导电系统，例如金属表面和金属 3D 块体。在金属系统中，根据定义，电介质是无限的，并且此类系统上不存在局部带电缺陷。

我看一些文章，文章说Cl原子吸附后就会发生电荷转移，这在一定程度上导致了 Cl 的近似离子状态。
DOI 10.1016/j.susc.2021.121909

希望按照原子算也可以

作者
Author: 汪杰 时间: 2025-5-28 22:28

cywu 发表于 2024-6-4 16:58
谢谢老师，不过我看这个矫正方法下面有一句：The SCPC method is suitable for semiconductor and / or i ...

楼主解决这个问题了吗？也许可以讨论一下

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