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标题: 关于差分密度与成键 [打印本页]

作者
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lyfchem    时间: 2015-12-29 21:37
标题: 关于差分密度与成键
本帖最后由 lyfchem 于 2015-12-29 21:40 编辑

The charge density difference analysis shows that there is strong accumulation of electrons between O2* to Au and Ce3+ (Figure 5c), indicative of formation of a strong bond. This bonding is not possible on Au/CeO2−x(111), essentially because of the repulsive force between O2 and the surface O in the top layer. The result is that O2 adsorption is inhibited on Au/CeO2−x(111). 对于这句话 我有两个你怎么明白的地方:

1. 从差分密度我们可以得到电荷的转移,但是为什么可以表示成键的问题呢?

2. 氧气和表面上的氧原子为什么有排斥力呢?



作者
Author:
root    时间: 2015-12-29 22:47
1: strong accumulation of electrons between O2* to Au and Ce3+ (Figure 5c),这里“电子积累”和“成键”就是同义词

2: O2在CeO2上的吸附应该很弱吧,范德华阱的位置估计比较远(猜的,没算过),O2离表面的距离小于范德华阱的时候就只剩下排斥力了

说得不一定准确,仅供参考
作者
Author:
sobereva    时间: 2015-12-31 01:08
通过共价方式成键总是伴随着电子向二者之间交叠区域转移,使得这部分区域电子密度增加,体现在密度差图中




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