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标题: 求助，PBE和HSE06计算带隙差别较大问题 [打印本页]

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Author: 慕容轩逸 时间: 2019-12-12 14:00
标题: 求助，PBE和HSE06计算带隙差别较大问题
各位老师好，我用的是CASTEP软件，计算的是Ag3VO4半导体材料,后期会在上面吸附贵金属。现在遇到的问题是，我在用HSE06计算纯Ag3VO4的带隙、态密度、差分电荷等性质的时候，时间就已经长达4天了。我但心在计算吸附贵金属的Ag3VO4时时间会长到我无法接受。但是我用GGA PBE计算时往往只需要几个小时就OK了。所以我现在的问题有如下几个：
1.HESE06我在计算吸收光谱时一直失败，是这个函数不支持计算吸收光谱吗？
2.GGA PBE虽然计算速度快，但是其计算的带隙太低，比如Ag3VO4带隙实验值是2.4ev左右，HSE06计算的是2.23左右，而GGA PBE只有1.09ev，我在查看网上的资料时，有人说可以通过+U和剪刀算符来修正低估的带隙。各位老师觉得这样可行吗，因为我担心即便带隙修正了，计算出来的其他性质是否也可靠呢？
希望各位老师能给我这个初学者点建议。

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