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标题: 电荷密度分布相关问题求助 [打印本页]

作者
Author: 小螃蟹 时间: 2019-11-2 21:26
标题: 电荷密度分布相关问题求助
各位研友，近来看到关于钙钛矿表面缺陷钝化的文献，上面有关电荷密度分布的计算（如下图1所示），我使用VASP分别对HIMs-CsPI3整体，HIMs以及CsPbI3面进行静态自洽计算，结果CsPbI3面的OUTCAR里NGXF,NGYF和NGZF的值与整体及HIMs的不一致，我将这三个参数加入到CsPbI3静态自洽计算的INCAR中,但是最后计算出来的OUTCAR中三个参数还是没有变化，这导致我无法生成差分电荷密度图，想请教如何设置可以使NGXF,NGYF和NGZF与整体一致，我进行静态自洽计算的参数设置如下图2，还请各位大神指教。

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作者
Author: 卡开发发 时间: 2019-11-3 09:48
按道理，晶格相同的情况（晶格要是不同会涉及到取整的问题）指定了PREC和ENCUT是相同的情况连NGXF这些都不用指定，因为ENCUT直接决定了NGX等，而PREC决定了NGXF和NGX的比例。你做差的三个结构晶格尺寸，原子的位置都对应吗？

作者
Author: 小螃蟹 时间: 2019-11-4 08:22

卡开发发发表于 2019-11-3 09:48
按道理，晶格相同的情况（晶格要是不同会涉及到取整的问题）指定了PREC和ENCUT是相同的情况连NGXF这些都不 ...

谢谢您的解答，我做差的这三个结构分别是HIM-CsPbI3, CsPbI3以及HTM，它们三个的真空层大小是一样的，PREC和ENCUT设置都是一样的，但是静态自洽完成后OUTCAR里NGXF,NGYF和NGZF不一样。

作者
Author: 卡开发发 时间: 2019-11-4 09:59

小螃蟹发表于 2019-11-4 08:22
谢谢您的解答，我做差的这三个结构分别是HIM-CsPbI3, CsPbI3以及HTM，它们三个的真空层大小是一样的，PRE ...

晶格尺寸完全一样？还是只有Z方向一样？如果全都一样的话还这样就有点问题了。有可能还要检查下OUTCAR里面的一些信息来做判断。

作者
Author: 小螃蟹 时间: 2019-11-4 10:33

卡开发发发表于 2019-11-4 09:59
晶格尺寸完全一样？还是只有Z方向一样？如果全都一样的话还这样就有点问题了。有可能还要检查下OUTCAR里 ...

x,y,z三个方向真空层大小是一模一样的，我把CsPbI3面的OUTCAR附上。

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